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MJD112G中文资料

MJD112G图片

MJD112G外观图

  • 大小:300KB
  • 厂家:
  • 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • 标准包装:75
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大):20µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 2A,3V
  • 功率 - 最大:1.75W
  • 频率 - 转换:25MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:DPAK-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJD112G-NDMJD112GOS

MJD112G供应商

更新时间:2023-01-02 01:01:42
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